レーザーダイオードの分類と違い?

レーザーダイオード（略してLD）、レーザーダイオードの物理的構造は、発光ダイオードの接合部の間に配置され、光活性半導体の層であり、研磨後の端面は部分反射機能を持ち、光共振器を形成します。LEDは、発光ダイオードの略で、ガリウム（Ga）、ヒ素（As）、リン（P）、窒素（N）などを含む化合物でできています。電子が正孔と結合すると、可視光を放出し、発光ダイオードの製造に使用されます。

のレーザーダイオード1960年代に発明された光源半導体レーザーの一種で、レーザーダイオードとも呼ばれます。 LASER は Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation の略で、通常は略して LD と呼ばれます。 光と全く同じ波長と位相特性を出せるため、コヒーレンスの高さが最大の特徴です。 低輝度の赤色光しか発しないため、HP は使用するインジケーターとして特許を取得しました。

以下は、現在の市場で最も一般的なレーザー ダイオードの物理的な写真と内部接続図です。

順方向バイアスの場合、親 LED が光を放出し、光共振器と相互作用することにより、接合部からの単一波長光の放出がさらに刺激されます。その物理的特性は材料に依存します。

1.発光原理の違い

LD は、の英語の略語です。レーザーダイオード. レーザーダイオードの物理的構造は、発光ダイオードの接合間に光活性半導体の層を配置することであり、その端面は研磨後に部分反射機能を持ち、光共振器を形成します。

順方向バイアスの場合、親 LED が光を放出し、光共振器と相互作用することにより、接合部からの単一波長光の放出がさらに刺激されます。その物理的特性は材料に依存します。

半導体レーザー ダイオードは、理論上はガス レーザーと同じように機能します。 レーザー ダイオードは、コンピューターの CD ドライブやレーザー プリンターでの印刷など、低電力の光電デバイスで広く使用されています。

LEDは活性領域に注入されたキャリア自然放射化合物発光を使用し、レーザーダイオードLDは誘導放射化合物発光です。 LED から放出される光子の方向と位相はランダムですが、レーザー ダイオードから放出される光子は同じ方向と位相です。

一部の半導体材料の PN 接合では、注入された少数のキャリアが、多数キャリアと結合したときに過剰なエネルギーを光の形で放出し、電気エネルギーを直接光エネルギーに変換します。 PN 接合に逆電圧がかかるため、注入しにくいキャリアが少ないため、発光しません。 注入エレクトロルミネッセンス原理で作られたこの種のダイオードは、一般にLEDとして知られている発光ダイオードと呼ばれます。

2. 動作原理、構造、効率の違い

① 動作原理：LED は活性領域に注入された自然キャリア放射複合発光を使用し、LD は誘導放射複合発光を使用します。

②アーキテクチャ：LDは光共振器を持ち、発生した光子を共振器内で発振・増幅させますが、LEDは共振器を持ちません。

③ 性能：LED にはクリティカルな超要求はなく、スペクトル密度は LD よりも数桁高い。 LED の出力が小さく、発散角が大きい。

レーザー ダイオードの使用に関する注意事項:

① 帯電防止: パイプまたは溶接ピンを取るときは、接地リスト ストラップを着用します (リスト ストラップは、図 3 に示すように 1MΩ の抵抗接地に接続され、静電気によるパイプの損傷を防ぎます。

②溶接：溶接、電気アイロンのシェルを地面に接続する必要があります。電源プラグをソケットから抜くのが最善です。 溶接時間は短く（最大溶接温度260度、溶接時間5秒未満）、溶接が強くない場合は、一定間隔で再度溶接することができます。

③動作電流：調整時に最大値を超えないようにしてください。また、オーバーシュート電流を持つことはできません。 調整で破線を防止してください。そうしないと、パイプが焼損します。 AC および DC の作業は許容されますが、ピーク値は最大値を超えてはなりません。出力を監視する必要がない場合は、VD2 も使用できます。

④レーザービームが目を傷つけないようにします。レーザーが作動しているときは、光源を直接または反射を通して見ないでください。目を傷つける可能性があります。 国際慣行に従って、警告ラベルをレーザーに添付する必要があります。

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